方案昂寶的OB2269，工作頻率設(shè)在68KHZ。輸入90-220V。輸出12V 5A.變壓器PQ2620.高壓效率85，低壓82。變壓器參數(shù)初級32T 0.5*2 ,次級5TS 0.5*4,反饋6TS 0.3*3 低壓滿載老化 MOS管溫度110度，大電解110度（豐賓120uf、400v），變壓器絕緣紙溫度110度。如今溫度過不了，請各位高手幫忙分析分析。
這是MOS管的散熱片
這是肖特基的散熱片
PCB板的尺寸L :103*W :45
一個星期了12V5A適配器桌面式 GS認(rèn)證溫度過不了？頭疼啊
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@xieweixiong1989
這個我遇到了，我們用SD4871做60W的，也是12V5A，溫升也一樣過不了，我們低壓效率82，高壓效率85，（1.5m長的線18#）。后來用導(dǎo)熱硅貼將熱引到外殼散熱，最后變壓器溫度是降了，但是光耦的又超了。殼內(nèi)溫度有80度了
你這個變壓器設(shè)計的也是中規(guī)中矩的，反射電壓80V，0.45的占空比,對于OPEN的應(yīng)該沒問題,但是這樣的適配器恐怕溫度夠戧,你的效率上不來.230V估計也就0.86左右吧.只有提高匝比提高反射電壓.看你的初級已經(jīng)32Ts了,2620的BOBBIN估計0.5的線你連1匝也加不進去了,所以將次級去掉一圈,這個時候占空比會比較大,計算一下如果磁心沒有接近飽和
磁通,那么初級也可適當(dāng)減少1、2圈。這樣整流管就可以選小點的耐壓如80V的，看你的電壓范圍是到220V，那么60V的蕭特基都可以考慮使用，效率肯定會提高，但前提是管子不要太垃圾,大概90V時0.84,220V時0.87左右,你的好象是固定頻率硬開關(guān),電感量適當(dāng)大一點,可以工作在CCM下,效率應(yīng)該會更高一點,基本上220V時0.89應(yīng)該不是太費勁。但是這個時候你的MOS耐壓就要注意了，要留足夠的余量，最好打8折，同時吸收再處理一下。這樣做你的MOS和變壓器應(yīng)該溫度能解決，但是電容還是危險。祝你好運
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@dianhui
你這個變壓器設(shè)計的也是中規(guī)中矩的，反射電壓80V，0.45的占空比,對于OPEN的應(yīng)該沒問題,但是這樣的適配器恐怕溫度夠戧,你的效率上不來.230V估計也就0.86左右吧.只有提高匝比提高反射電壓.看你的初級已經(jīng)32Ts了,2620的BOBBIN估計0.5的線你連1匝也加不進去了,所以將次級去掉一圈,這個時候占空比會比較大,計算一下如果磁心沒有接近飽和磁通,那么初級也可適當(dāng)減少1、2圈。這樣整流管就可以選小點的耐壓如80V的，看你的電壓范圍是到220V，那么60V的蕭特基都可以考慮使用，效率肯定會提高，但前提是管子不要太垃圾,大概90V時0.84,220V時0.87左右,你的好象是固定頻率硬開關(guān),電感量適當(dāng)大一點,可以工作在CCM下,效率應(yīng)該會更高一點,基本上220V時0.89應(yīng)該不是太費勁。但是這個時候你的MOS耐壓就要注意了，要留足夠的余量，最好打8折，同時吸收再處理一下。這樣做你的MOS和變壓器應(yīng)該溫度能解決，但是電容還是危險。祝你好運
跟我的想法是一樣的。推薦這樣搞。但一定要選個靠譜的MOSFEET。
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@dianhui
你這個變壓器設(shè)計的也是中規(guī)中矩的，反射電壓80V，0.45的占空比,對于OPEN的應(yīng)該沒問題,但是這樣的適配器恐怕溫度夠戧,你的效率上不來.230V估計也就0.86左右吧.只有提高匝比提高反射電壓.看你的初級已經(jīng)32Ts了,2620的BOBBIN估計0.5的線你連1匝也加不進去了,所以將次級去掉一圈,這個時候占空比會比較大,計算一下如果磁心沒有接近飽和磁通,那么初級也可適當(dāng)減少1、2圈。這樣整流管就可以選小點的耐壓如80V的，看你的電壓范圍是到220V，那么60V的蕭特基都可以考慮使用，效率肯定會提高，但前提是管子不要太垃圾,大概90V時0.84,220V時0.87左右,你的好象是固定頻率硬開關(guān),電感量適當(dāng)大一點,可以工作在CCM下,效率應(yīng)該會更高一點,基本上220V時0.89應(yīng)該不是太費勁。但是這個時候你的MOS耐壓就要注意了，要留足夠的余量，最好打8折，同時吸收再處理一下。這樣做你的MOS和變壓器應(yīng)該溫度能解決，但是電容還是危險。祝你好運
大師如果占空比變大，反射電壓就高，肖特基如何能使用60V的管。也要用大于100V的管子吧
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@lijuan@
是的PQ2620，如今高壓效率88，低壓84，不帶線測。但殼內(nèi)溫度96度，如果在35度環(huán)境老化，96+10=106.電解電容溫度過不了。如今想換成PQ2623的變壓器不知可行不，大師們指點指點
占空比、反射電壓都是根據(jù)你的MOS耐壓來決定的，所以你的MOS耐壓如果足夠，比如600V或650V，打8折，這個時候計算你的反射電壓，盡可能高一點，考慮SPIKE不要超過8折，當(dāng)然可靠性要求不高時可打9折，同時注意占空比不要超過0.5(除非加補償)。這個時候匝比肯定會大,那么次級整流管電壓會變低的.如:220*1.414=311V,匝比由6.5改為8,那么次級電壓為311/8=39,39+12=51V,用60V蕭特基打9折也有54V,所以沒問題,如果是
264Vac,那就要用80V的了.
提高反射電壓是為了減低初級電流,減少MOS的損耗,降低了次級電壓那么可以選擇更底耐壓整流管從而降低Vf,選擇相對好一點整流管,比如ST的60V、80V等，至于MOS，沒必要選擇太好畢竟只有60W，因為到一定程度再大的電流規(guī)格對損耗的降低已沒有多大實際意義了，因為Rdson雖降了但是由于電容的增大，開關(guān)損耗也會大了，對于這種適配器產(chǎn)品來說更不要提什么COOL MOS這種餿主意了，除非你的老板太有錢了沒地花了；
對于變壓器2620只要磁芯溫度不要超過太高，常規(guī)的類PC40材料應(yīng)該足夠了，如果成本沒有太大影響，也可以調(diào)整更換但要注意Ae不要變小了以防飽和。在變壓器不飽和的前提下增大一點感量。祝你成功。
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@dianhui
占空比、反射電壓都是根據(jù)你的MOS耐壓來決定的，所以你的MOS耐壓如果足夠，比如600V或650V，打8折，這個時候計算你的反射電壓，盡可能高一點，考慮SPIKE不要超過8折，當(dāng)然可靠性要求不高時可打9折，同時注意占空比不要超過0.5(除非加補償)。這個時候匝比肯定會大,那么次級整流管電壓會變低的.如:220*1.414=311V,匝比由6.5改為8,那么次級電壓為311/8=39,39+12=51V,用60V蕭特基打9折也有54V,所以沒問題,如果是264Vac,那就要用80V的了.提高反射電壓是為了減低初級電流,減少MOS的損耗,降低了次級電壓那么可以選擇更底耐壓整流管從而降低Vf,選擇相對好一點整流管,比如ST的60V、80V等，至于MOS，沒必要選擇太好畢竟只有60W，因為到一定程度再大的電流規(guī)格對損耗的降低已沒有多大實際意義了，因為Rdson雖降了但是由于電容的增大，開關(guān)損耗也會大了，對于這種適配器產(chǎn)品來說更不要提什么COOLMOS這種餿主意了，除非你的老板太有錢了沒地花了；對于變壓器2620只要磁芯溫度不要超過太高，常規(guī)的類PC40材料應(yīng)該足夠了，如果成本沒有太大影響，也可以調(diào)整更換但要注意Ae不要變小了以防飽和。在變壓器不飽和的前提下增大一點感量。祝你成功。
我客戶的12V5A
MOS管 12N65 普通MOS管
芯片用NE1105C 高壓啟動芯片
用PQ2620
肖特基是PFR30V60CT 一個
輸出線1.5M 18號 線端效率是87.3%只能過5級
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@dianhui
占空比、反射電壓都是根據(jù)你的MOS耐壓來決定的，所以你的MOS耐壓如果足夠，比如600V或650V，打8折，這個時候計算你的反射電壓，盡可能高一點，考慮SPIKE不要超過8折，當(dāng)然可靠性要求不高時可打9折，同時注意占空比不要超過0.5(除非加補償)。這個時候匝比肯定會大,那么次級整流管電壓會變低的.如:220*1.414=311V,匝比由6.5改為8,那么次級電壓為311/8=39,39+12=51V,用60V蕭特基打9折也有54V,所以沒問題,如果是264Vac,那就要用80V的了.提高反射電壓是為了減低初級電流,減少MOS的損耗,降低了次級電壓那么可以選擇更底耐壓整流管從而降低Vf,選擇相對好一點整流管,比如ST的60V、80V等，至于MOS，沒必要選擇太好畢竟只有60W，因為到一定程度再大的電流規(guī)格對損耗的降低已沒有多大實際意義了，因為Rdson雖降了但是由于電容的增大，開關(guān)損耗也會大了，對于這種適配器產(chǎn)品來說更不要提什么COOLMOS這種餿主意了，除非你的老板太有錢了沒地花了；對于變壓器2620只要磁芯溫度不要超過太高，常規(guī)的類PC40材料應(yīng)該足夠了，如果成本沒有太大影響，也可以調(diào)整更換但要注意Ae不要變小了以防飽和。在變壓器不飽和的前提下增大一點感量。祝你成功。
感謝大師的指點，如今變壓器，MOS溫度解決。就是大電解溫度過不了
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@dianhui
占空比、反射電壓都是根據(jù)你的MOS耐壓來決定的，所以你的MOS耐壓如果足夠，比如600V或650V，打8折，這個時候計算你的反射電壓，盡可能高一點，考慮SPIKE不要超過8折，當(dāng)然可靠性要求不高時可打9折，同時注意占空比不要超過0.5(除非加補償)。這個時候匝比肯定會大,那么次級整流管電壓會變低的.如:220*1.414=311V,匝比由6.5改為8,那么次級電壓為311/8=39,39+12=51V,用60V蕭特基打9折也有54V,所以沒問題,如果是264Vac,那就要用80V的了.提高反射電壓是為了減低初級電流,減少MOS的損耗,降低了次級電壓那么可以選擇更底耐壓整流管從而降低Vf,選擇相對好一點整流管,比如ST的60V、80V等，至于MOS，沒必要選擇太好畢竟只有60W，因為到一定程度再大的電流規(guī)格對損耗的降低已沒有多大實際意義了，因為Rdson雖降了但是由于電容的增大，開關(guān)損耗也會大了，對于這種適配器產(chǎn)品來說更不要提什么COOLMOS這種餿主意了，除非你的老板太有錢了沒地花了；對于變壓器2620只要磁芯溫度不要超過太高，常規(guī)的類PC40材料應(yīng)該足夠了，如果成本沒有太大影響，也可以調(diào)整更換但要注意Ae不要變小了以防飽和。在變壓器不飽和的前提下增大一點感量。祝你成功。
說的太對了。增大了占空比后MOS損耗能小，肖特基可以用更低耐壓的我，缺點就是輸出的峰值電流大了，輸出電容的紋波電流也大了，輸出電解自然就過熱了。簡單點的解決辦法那就是換ESR更小，耐紋波電流更大的電解了。
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