小弟新人，最近在設計一款隔離反激電源。記得論壇里有位大俠說過，電源設計就是設計變壓器，小弟銘記在心，呵呵。

這個電源輸出4A 3V的，最大功率12w。現(xiàn)在的問題是輸出電壓小，匝比很大，次級繞組很少。小弟設計了兩個方案，請各位前輩幫忙看看有什么問題，哪個更合適一些！

方案1：取反射電壓Vf=100v，磁芯為RM6（Ae=36)。得到初級152匝，次級5匝。（計算原邊電感為2.39mH)

           優(yōu)點是反射電壓大，電感大，感覺上效率應該高一些。而且次級匝數(shù)稍微多一點（雖然只多2匝。。。），漏感可能小。缺點嘛，初級匝數(shù)太多了，可能要繞4層。

方案2：取反射電壓Vf=50v ，磁芯為PQ2016（Ae=62)。得到初級50匝，次級3匝。（原邊電感0.8mH)

           優(yōu)點是初級比較好繞。缺點是電感很小，只有0.8，小弟感覺10w左右功率的反激電源初級電感應該沒這么小。而且次級匝數(shù)太少，可能不好。而且反射電壓小了，是否對效率有影響。

最后說一下線徑，小弟初級線徑用0.3mm，次級用三層絕緣線0.7mmX3股。

歡迎各位大俠前來拍磚指正~哈哈，小弟在此謝過各位了！！！