IR2110驅動MOSFET逆變橋問題探討

小弟采用IR2110驅動MOSFET逆變橋,電路按照IR2110技術資料設計,但是在調試過程中MOSFET被擊穿的情況下,Vs,COM兩個教出現大電流造成驅動片也被燒壞.請教各位高手,可能會是什么原因造成,是否遇到過類似的問題? 是否和芯片外圍電容選擇有關?

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zj651020

LV.1

2004-10-16 22:20

你發原理圖過來看看,我也在用IR2110,但我沒出現你這種情況.

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zzdqzzdq

LV.4

2004-10-25 00:22

抗干擾能力差,我們廠在研制數字純正弦波逆變電源時,曾試用過IR2110、IR2104、HIP4081等芯片,由于芯片內部泵升壓電源抗干擾太差,使研制工作走了彎路.現已采用傳統的TLP250光耦進行隔離驅動,效果佳.現已量產.0517-5231806周鑫森,江蘇淮安經濟開發區東鑫電子器材廠

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abc_abc

LV.4

2004-10-26 21:49

到IR西安技術中心的網站看看,上面可能有你問題的答案,我也遇到過類似問題

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qsy13851528259

LV.4

2005-03-14 14:45

@zzdqzzdq

響應太慢

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世界真奇妙

LV.9

2005-03-14 19:13

IR2110(包括IR2153等),使用時應注意滿足如下條件,否則極易損壞.

VHO小于VB+0.3 , VHO大于VS-0.3
VLO小于VCC+0.3 , VLO大于COM-0.3
.

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ken21cn

LV.8

2005-03-15 23:39

VS端和半橋間的雜散電感造成.VS端的負脈沖超過VS-VB的值.

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ken21cn

LV.8

2005-03-15 23:40

@zzdqzzdq

顯然沒有根據

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decbird

LV.1

2005-03-17 14:33

@ken21cn

VS端和半橋間的雜散電感造成.VS端的負脈沖超過VS-VB的值.

請問2110是不是必須先輸出LO?我的HO輸出上升沿有很高的脈沖是怎么回事啊??

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ken21cn

LV.8

2005-03-17 22:30

@decbird

請問2110是不是必須先輸出LO?我的HO輸出上升沿有很高的脈沖是怎么回事啊??

是的.LO先導通是HO產生的必要條件,LO通是為了給電容形成充電回路.
至于上升沿的尖峰,請貼出電路再分析.

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