摸索了幾天,18W樣機終于做好了!
完美的低成本,先自己祝賀下先!
感謝JEROME朋友的幫助,對ACTIVE-SEMI公司也感到高興,服務好,芯片也不錯,希望能再為民族電源事業做出努力(哈哈,象領導了)
說正題了,ACT30B的參數相信大家都已經了解,做小功率的成功的案例也是多不勝數了,將這個芯片發揮到極限18W這樣沒有幾個做了吧!
我的經驗
1,VDD電壓維持在空載11.4V,這個時候損耗最小,也就是達到空載小于0.3W
2,帶載的匝比發現并不是說越大越好,小了也不行,我12VOUT,全電壓INPUT的匝比給大家參考下匝比為5.44
3,三極管驅動電流,發現不是灌越多電流驅動性能越好,而是剛好的位置最好,也就是對批量生產的時候要注意了,三極管的放大倍數一定要經過分選,否則管熱炸機我就不負責了!
我個人總結的一個小計算方法,假定三極管的放大倍數為20,負責功率為18W,最小輸入電壓是90V,效率設70%
第一步,計算輸入功率18W/.7=25W
第二步,計算初級最大電流25W/(130V*0.48)=0.4A
第三步,計算峰峰值電流0.4*取系數1.7=0.68A
第四步,計算三極管驅動電流0.68/20=0.034A
計算驅動電阻得352歐,也就是驅動環路的電阻總值為352歐,分開兩個的取值可以取R1=100歐,R2=240歐
發現電阻取太小時(例如取100+100)帶載功率大了0.3W
4,輸出整流二極管可以取低耐壓(壓降小,溫升低),但一定要加一個小吸收,也利于輸出紋波小
5,布線規則,板子認證完了再說,呵呵
也希望大家支持民族事業,堅決不采用PI芯片做電源!PI的你會做,那是傻瓜,為什么賣到中國來,因為他說中國人都是傻瓜,只會做簡單的東西!
使用ACT30B經驗分享!發揮到極限(全電壓INPUT,18WOUT)
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@牽只螞蟻散步
請問你的開關管用的是什么?13003嗎?按你的匝比計算輸入AC264V時開關管上Vce差不多有500V.而13003的Vceo為400V.我一直擔心這點,高壓時開關管會擊穿.所以這個方案一直沒用.我司好多電源極端時輸入電壓會高到280V.是不是發射極驅動,對三極管耐壓有提高?還請指教!
當三極管關斷的時候,即使VCE＝600V,三極管仍然不會擊穿.為什么呢?這要先了解三極管的擊穿機理.為什么三極管CE間的擊穿電壓低于CB間的擊穿電壓呢?是因為三極管的電流放大能力,現在可以想一下三極管CE擊穿的過程,首先集電極的高壓首先在CB結上形成電場,如果這個電壓過高,那么BASE電壓會被拉高,一旦BASE電壓拉高,由于三極管的放大能力,擊穿就發生了.
如果用MOS在發射極控制,那么當BASE被拉高的時候,發射極會跟隨著BASE升高(因為沒有電流通路),電流不再放大,擊穿就不會出現;只有集電極電壓繼續升高,直接導致CB結擊穿,才會出現.
實際上承受高壓的是三極管,當IC 內部MOS關斷時,相當于把三極管的E極懸空,所以承受高壓的是三極管的CB極,一般三極管如13003的Vcbo=600V>Vceo=400V,但真正做開關動作的是IC內的MOS.
如果用MOS在發射極控制,那么當BASE被拉高的時候,發射極會跟隨著BASE升高(因為沒有電流通路),電流不再放大,擊穿就不會出現;只有集電極電壓繼續升高,直接導致CB結擊穿,才會出現.
實際上承受高壓的是三極管,當IC 內部MOS關斷時,相當于把三極管的E極懸空,所以承受高壓的是三極管的CB極,一般三極管如13003的Vcbo=600V>Vceo=400V,但真正做開關動作的是IC內的MOS.
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@葉孤城
隨便說幾句:1,你的開關管用的是13003還是130052,你的火牛用的是多少的型號3,淨功耗多少,效率多少?幾個因素加在一起時會出現什麼情況,同時你的產品有沒有做FMEA分析.
管用13003是廠家定的大芯片那種,溫度測試為50度(可以接受)
火牛(變壓器)為了保證充足的余量使用了大體積的EE2520(4+4PIN)
輸出18W的時候輸入功率為23.7W,效率75%(低壓90INPUT)
產品到時會去做CE認證,我的把握應該完全沒有問題
同時指出匝比是我調試N多次(雖然多了點,開始不知道關鍵因素),最后的匝比,我相信是最好的優化,初級136T,次極25T匝比5.44
空載240VINPUT的時候較大,為0.2W,90VINPUT的時候為0.08W,調整過吸收仍得不到改善,希望有經驗的提出意見
火牛(變壓器)為了保證充足的余量使用了大體積的EE2520(4+4PIN)
輸出18W的時候輸入功率為23.7W,效率75%(低壓90INPUT)
產品到時會去做CE認證,我的把握應該完全沒有問題
同時指出匝比是我調試N多次(雖然多了點,開始不知道關鍵因素),最后的匝比,我相信是最好的優化,初級136T,次極25T匝比5.44
空載240VINPUT的時候較大,為0.2W,90VINPUT的時候為0.08W,調整過吸收仍得不到改善,希望有經驗的提出意見
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@jerome
頂一下先! 其實11V不是VDD電壓,而是反饋繞組出來的VCC電壓,ACT30B芯片VDD電壓是在3.35-5.45V間,我幫你糾正下,怕誤導別人! 另外,計算驅動電阻的方法,我覺得可以再準確些,因為當你變壓器一旦設定好以后,效率也可估計,那么初級峰值電流是可以計算出來的,這樣計算是否會比你取電流系數準確些,然后再用所用的三極管放大倍數去算驅動電阻是否科學些,這當然是我個人意見! 很感謝你的經驗共享!
VDD電壓可能是我的誤解,應該是VCC電壓
驅動電阻我是經過實際對比和實際計算得出的結果,三極管分選肯定是一種必要措施,有利于產品的一致性保障,想如果放大倍數相差10幾的話就很難了!
感謝JEROME提出建議!
驅動電阻我是經過實際對比和實際計算得出的結果,三極管分選肯定是一種必要措施,有利于產品的一致性保障,想如果放大倍數相差10幾的話就很難了!
感謝JEROME提出建議!
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@佚名
管用13003是廠家定的大芯片那種,溫度測試為50度(可以接受)火牛(變壓器)為了保證充足的余量使用了大體積的EE2520(4+4PIN)輸出18W的時候輸入功率為23.7W,效率75%(低壓90INPUT)產品到時會去做CE認證,我的把握應該完全沒有問題同時指出匝比是我調試N多次(雖然多了點,開始不知道關鍵因素),最后的匝比,我相信是最好的優化,初級136T,次極25T匝比5.44空載240VINPUT的時候較大,為0.2W,90VINPUT的時候為0.08W,調整過吸收仍得不到改善,希望有經驗的提出意見
我想問一下你用的是那家的13003,功耗有6W,你的外殼有多大?會不會湯手呀?比較局限的東西,我擔心的是生產的一致性.
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@jerome
當三極管關斷的時候,即使VCE＝600V,三極管仍然不會擊穿.為什么呢?這要先了解三極管的擊穿機理.為什么三極管CE間的擊穿電壓低于CB間的擊穿電壓呢?是因為三極管的電流放大能力,現在可以想一下三極管CE擊穿的過程,首先集電極的高壓首先在CB結上形成電場,如果這個電壓過高,那么BASE電壓會被拉高,一旦BASE電壓拉高,由于三極管的放大能力,擊穿就發生了. 如果用MOS在發射極控制,那么當BASE被拉高的時候,發射極會跟隨著BASE升高(因為沒有電流通路),電流不再放大,擊穿就不會出現;只有集電極電壓繼續升高,直接導致CB結擊穿,才會出現. 實際上承受高壓的是三極管,當IC內部MOS關斷時,相當于把三極管的E極懸空,所以承受高壓的是三極管的CB極,一般三極管如13003的Vcbo=600V>Vceo=400V,但真正做開關動作的是IC內的MOS.
有道理...
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@jerome
當三極管關斷的時候,即使VCE＝600V,三極管仍然不會擊穿.為什么呢?這要先了解三極管的擊穿機理.為什么三極管CE間的擊穿電壓低于CB間的擊穿電壓呢?是因為三極管的電流放大能力,現在可以想一下三極管CE擊穿的過程,首先集電極的高壓首先在CB結上形成電場,如果這個電壓過高,那么BASE電壓會被拉高,一旦BASE電壓拉高,由于三極管的放大能力,擊穿就發生了. 如果用MOS在發射極控制,那么當BASE被拉高的時候,發射極會跟隨著BASE升高(因為沒有電流通路),電流不再放大,擊穿就不會出現;只有集電極電壓繼續升高,直接導致CB結擊穿,才會出現. 實際上承受高壓的是三極管,當IC內部MOS關斷時,相當于把三極管的E極懸空,所以承受高壓的是三極管的CB極,一般三極管如13003的Vcbo=600V>Vceo=400V,但真正做開關動作的是IC內的MOS.
謝謝Jerome的精彩分析:如果用MOS在發射極控制,那么當BASE被拉高的時候,發射極會跟隨著BASE升高(因為沒有電流通路),電流不再放大,擊穿就不會出現;只有集電極電壓繼續升高,直接導致CB結擊穿,才會出現.但有一點我還是不理解:三極管發射接的是驅動開關管.但驅動開關管耐壓很低,“發射極會跟隨著BASE升高”,也就是發射擊極的電壓升高不能超過驅動管的耐壓,否則驅動管不就擊穿了,也就整個回路的耐壓,三極管的Vce加上驅動管的耐壓,也就400多伏.
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@牽只螞蟻散步
謝謝Jerome的精彩分析:如果用MOS在發射極控制,那么當BASE被拉高的時候,發射極會跟隨著BASE升高(因為沒有電流通路),電流不再放大,擊穿就不會出現;只有集電極電壓繼續升高,直接導致CB結擊穿,才會出現.但有一點我還是不理解:三極管發射接的是驅動開關管.但驅動開關管耐壓很低,“發射極會跟隨著BASE升高”,也就是發射擊極的電壓升高不能超過驅動管的耐壓,否則驅動管不就擊穿了,也就整個回路的耐壓,三極管的Vce加上驅動管的耐壓,也就400多伏.
不知道你看過應用電路沒有,VCC部分不是有一個12V的穩壓管做鉗位嘛,發射極跟隨B極電壓就好了,工作正常就不會超過IC內部的MOS耐壓了!另外BASE電壓被拉高指的是三極管發生擊穿時的現象,由于沒有電流通路不發生擊穿時BASE電壓是VCC電壓,所以IC可以用很小耐壓的開關做在里面便可,并不是像你所說的兩個耐壓加在一起,因為三極管的擊穿特性!
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