Ids有一個很大的尖峰

一個電源,同時輸出3.3V/550mA,12V/150mA,48V/350mA(獨立繞組). 工作時Ids有一個很大的尖峰,并且在滿載情況下,90VAC比240VAC輸入時 3.3V輸出汶波大. 據說Ids與二次側的反向時間有關,(現48V的整流管反向時間MAX<35ns,其它二路為schottky),還與MOS和變壓器的分布電容有關,但不知要如何調整,請大家幫忙.

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huang8020

LV.2

2006-11-02 10:52

請大家看一下我的分析:
這個Ids的Spike可能由三部分有關.
1) 工作在CCM時,由于受二次整流管Trr的影響,二次側也有一個電流spike引起Ids的spike. 但本例中即使工作在DCM,Ids spike并未減小,因此與整流管Trr無關.
2) 與MOS和變壓器的分布電容有關,在MOS ON時分布電容放電所造成,但不知如何測量分布電容的大小,以及如何避免,
3) 與PWM的Drive電流有關,我用的是PI 的TOP245Y.不知是否TOP245就是這個"味".
4) 與測量方式有關, 在測量電流時,將PWM的D腳懸空,再引一段5cm的線接到PCB板上,用電流棒測量.這樣測量是否正確.

肯請大家幫忙.謝謝!!

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葉孤城

LV.4

2006-11-02 11:04

是由於MOS的結電容引起的,硬開關都會有此問題,也造成辦輻射.
軟開關會小很多.

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morning

LV.7

2006-11-02 12:02

@huang8020

請大家看一下我的分析:這個Ids的Spike可能由三部分有關.1)工作在CCM時,由于受二次整流管Trr的影響,二次側也有一個電流spike引起Ids的spike.但本例中即使工作在DCM,Idsspike并未減小,因此與整流管Trr無關.2)與MOS和變壓器的分布電容有關,在MOSON時分布電容放電所造成,但不知如何測量分布電容的大小,以及如何避免,3)與PWM的Drive電流有關,我用的是PI的TOP245Y.不知是否TOP245就是這個"味".4)與測量方式有關,在測量電流時,將PWM的D腳懸空,再引一段5cm的線接到PCB板上,用電流棒測量.這樣測量是否正確.肯請大家幫忙.謝謝!!

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