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請教關(guān)于MOSFET的耗散功率

MOSFET的DATASHEET里都有一個(gè)耗散功率,隨溫度升高耗散功率降低,請問這個(gè)耗散功率是什么意思.比如一個(gè)MOSFET在25度時(shí)的耗散功率是400W,那這個(gè)MOSFET是否就不能用在600W輸出的BOOST升壓APFC上?另外,如果是半橋逆變電路,輸出為600W,那么是否每個(gè)MOSFET的耗散功率只要選擇300W就夠了?
請指教,謝謝!
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yxh5692
LV.2
2
2006-10-11 11:07
希望能得到高手指點(diǎn)!
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daphnis
LV.2
3
2006-10-11 11:18
這個(gè)功率是指的這個(gè)mos管自己本身可以承受的這么大的功率.

所以跟你整個(gè)的電路輸出功率是沒有直接關(guān)系的.

所以這個(gè)功率跟你那個(gè)功率是兩回事...可不可以用取決與你的mosfet部分電路承受.
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yxh5692
LV.2
4
2006-10-11 11:22
那這個(gè)耗散功率是不是Id平方X Rds?這樣算的話電流要大大于額定的Id才會(huì)超過這個(gè)功率.那給出這個(gè)數(shù)據(jù)就沒什么意義了吧
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daphnis
LV.2
5
2006-10-11 11:54
@yxh5692
那這個(gè)耗散功率是不是Id平方XRds?這樣算的話電流要大大于額定的Id才會(huì)超過這個(gè)功率.那給出這個(gè)數(shù)據(jù)就沒什么意義了吧
id平方Xrds,只是在該條件下的rds,不是他的最大耗散功率.
rdson是隨著器件的運(yùn)行而改變的.

所以要算在最惡劣情況下的,rds及在該條件下運(yùn)行的電流,電流值和最大耗散功率值必須仔細(xì)觀察因?yàn)樗?
們只有當(dāng)背板溫度到25 ? C時(shí)才能達(dá)到.

所以你那樣算出來.不是它的最大耗散功率.
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yxh5692
LV.2
6
2006-10-11 12:01
謝謝指教,那MOSFET的選擇和這個(gè)耗散功率就沒有什么關(guān)系了好象,因?yàn)榧词乖谧類毫忧闆r下算出來的值也是遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于額定的耗散功率的.可是我不明白,為什么一個(gè)母線電壓400V、輸出600W的半橋逆變電路,要選用Id高達(dá)40A的MOSFET?
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