請(qǐng)教一下,使用 RCD SNUBBER , 和 MOS 管的 DS 加RC
各有何優(yōu)缺點(diǎn)呢?
SNUBBER
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RCD緩沖吸收是一簡(jiǎn)單而復(fù)雜的工程問(wèn)題.我只是對(duì)部分內(nèi)容做探討,希望能拋磚引玉.
不同的拓?fù)湓陂_(kāi)和關(guān)時(shí)的功耗是不同的,對(duì)于反激式電源,工作于理想斷續(xù)模式下,零電流開(kāi)通,功率關(guān)斷.如果用RCD緩沖,由于在關(guān)斷區(qū)CD傳連并在FET上,FET可以實(shí)現(xiàn)零電壓關(guān)斷,FET開(kāi)通時(shí)RCD釋放C中儲(chǔ)能.FET的關(guān)斷損耗被轉(zhuǎn)移到RCD的R上.開(kāi)通瞬間,RCD中R的限流作用,FET的開(kāi)通損耗加大,但有限.純RC可以阻尼FET開(kāi)關(guān)過(guò)程中的震蕩.
不同的拓?fù)湓陂_(kāi)和關(guān)時(shí)的功耗是不同的,對(duì)于反激式電源,工作于理想斷續(xù)模式下,零電流開(kāi)通,功率關(guān)斷.如果用RCD緩沖,由于在關(guān)斷區(qū)CD傳連并在FET上,FET可以實(shí)現(xiàn)零電壓關(guān)斷,FET開(kāi)通時(shí)RCD釋放C中儲(chǔ)能.FET的關(guān)斷損耗被轉(zhuǎn)移到RCD的R上.開(kāi)通瞬間,RCD中R的限流作用,FET的開(kāi)通損耗加大,但有限.純RC可以阻尼FET開(kāi)關(guān)過(guò)程中的震蕩.
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@xkw1
RCD緩沖吸收是一簡(jiǎn)單而復(fù)雜的工程問(wèn)題.我只是對(duì)部分內(nèi)容做探討,希望能拋磚引玉.不同的拓?fù)湓陂_(kāi)和關(guān)時(shí)的功耗是不同的,對(duì)于反激式電源,工作于理想斷續(xù)模式下,零電流開(kāi)通,功率關(guān)斷.如果用RCD緩沖,由于在關(guān)斷區(qū)CD傳連并在FET上,FET可以實(shí)現(xiàn)零電壓關(guān)斷,FET開(kāi)通時(shí)RCD釋放C中儲(chǔ)能.FET的關(guān)斷損耗被轉(zhuǎn)移到RCD的R上.開(kāi)通瞬間,RCD中R的限流作用,FET的開(kāi)通損耗加大,但有限.純RC可以阻尼FET開(kāi)關(guān)過(guò)程中的震蕩.
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