逆變器的高頻化
我現(xiàn)在正在做差頻逆變器,可以實現(xiàn)變壓器的高頻化,但成本有點高,希望大家給個能夠?qū)崿F(xiàn)高頻化,又不是很復雜的方案,并且可以帶電容負載,電感負載.謝謝!
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@happy1001zw
我所做的都算是大功率的逆變器,基本上是軍工產(chǎn)品,你所要求的我不能夠?qū)崿F(xiàn),請諒解!!
氮化鎵MOSFET是解決高頻的根本
提高功率密度無非是要提高開關頻率使體積變小。
硅高壓半導體的物理特性決定了頻率，一般400V以上的器件超過200KHZ的頻率，管子發(fā)熱很嚴重，損耗會成倍的加大。
新型材料氮化鎵MOSFET可以解決這問題。 氮化鎵材料適合高頻，600V以上的器件可以工作在1M以上。幾百K是很簡單的事。同時高頻后并不會帶來多少額外的損耗。
下圖表示了硅，碳化硅，氮化鎵三者的高頻，與損耗關系。可以看出，氮化鎵有明顯的高頻優(yōu)勢。
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@transphorm
氮化鎵MOSFET是解決高頻的根本提高功率密度無非是要提高開關頻率使體積變小。硅高壓半導體的物理特性決定了頻率，一般400V以上的器件超過200KHZ的頻率，管子發(fā)熱很嚴重，損耗會成倍的加大。新型材料氮化鎵MOSFET可以解決這問題。氮化鎵材料適合高頻，600V以上的器件可以工作在1M以上。幾百K是很簡單的事。同時高頻后并不會帶來多少額外的損耗。下圖表示了硅，碳化硅，氮化鎵三者的高頻，與損耗關系。可以看出，氮化鎵有明顯的高頻優(yōu)勢。氮化鎵MOSFET介紹.pdf200KLLC+PFC250W95.4%效率.pdf[圖片][圖片][圖片]
價格不低吧
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@逆變器開發(fā)
價格不低吧
價格是一方面 ，單看一個器件，一個MOSFET，我們的是高了很多，
但作為一個板子的整體成本。反而下降，
我們幫你在設計的時候省去了其它的，total cost dropped.
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朋友們，要想看更多資料可以從下面下載。里面有介紹
http://pan.baidu.com/s/1sjyPuOX
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下圖是一個簡單說明，相信你能看得出。。。。同樣大功率的，右邊的明顯價格低點。
一個PFC電路，效率等同的情況下。
絕對真實。
另一個逆變。。。
更多資料請從這里下載： http://pan.baidu.com/s/1sjyPuOX
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本人親測。請理解與支持。或你自己下載試下其它的IE瀏覽器。
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