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請(qǐng)教如何消除MOSFET關(guān)斷瞬間的尖蜂電壓

各位達(dá)人,小弟請(qǐng)教一下如何抑制或消除MOSFET的關(guān)斷尖蜂電壓,MOSFET應(yīng)用在Boost電路中,在關(guān)斷時(shí)有一個(gè)很大的尖蜂電壓然后振蕩衰減為關(guān)斷后的穩(wěn)定電壓.在MOFET的DS間加了阻容吸收電路后仍然不見(jiàn)好轉(zhuǎn).我已經(jīng)因?yàn)檫@個(gè)尖蜂燒掉5個(gè)MOSFET了.請(qǐng)問(wèn)大家遇到過(guò)類(lèi)似情況嗎?都是怎么解決的啊.謝謝了 .
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洪七公
LV.9
2
2006-08-18 09:41
加TVS ESD器件行不?
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lavatory
LV.4
3
2006-08-18 10:05
很多種辦法
1、原則上以減小變壓器漏感為主,盡量采用三明治繞法.用中心柱比較長(zhǎng)的磁芯,副邊用三層絕緣線(xiàn)(就可以不用控端膠帶了),這樣可以增加原副邊的耦合性能.
2、在Snab回路上加TVS是好辦法,關(guān)鍵是功率比較大時(shí)TVS是不是過(guò)熱.可以加RC再加TVS.
3、減小Vor
4、用慢速二極管作Snab的反向釋放二極管,如果這顆二極管過(guò)熱,可以串一個(gè)2R-10R/2W的電阻.(最近比較流行).
5、用耐壓更高的mos,你用900V的MOS基本不會(huì)燒.
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wenchx
LV.2
4
2006-08-18 10:28
@lavatory
很多種辦法1、原則上以減小變壓器漏感為主,盡量采用三明治繞法.用中心柱比較長(zhǎng)的磁芯,副邊用三層絕緣線(xiàn)(就可以不用控端膠帶了),這樣可以增加原副邊的耦合性能.2、在Snab回路上加TVS是好辦法,關(guān)鍵是功率比較大時(shí)TVS是不是過(guò)熱.可以加RC再加TVS.3、減小Vor4、用慢速二極管作Snab的反向釋放二極管,如果這顆二極管過(guò)熱,可以串一個(gè)2R-10R/2W的電阻.(最近比較流行).5、用耐壓更高的mos,你用900V的MOS基本不會(huì)燒.
感謝大家對(duì)我的指導(dǎo),請(qǐng)問(wèn)樓上1.變壓器漏感對(duì)瞬間高壓影響很大嗎,我是做Boost電路的PFC,AC是經(jīng)過(guò)調(diào)壓器后再整流輸入的;2.在Snab回路加TVS的意思是在MOSFET兩端加反并聯(lián)的TVS二極管嗎?RC是怎么加的,是和TVS串聯(lián)嗎?3.Vor是什么電壓;4.MOSFET內(nèi)部已經(jīng)有一個(gè)反向二極管了,還要再加一個(gè)慢速反向釋放二極管嗎?這是什么原理呢.小弟再次謝過(guò)了...
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2006-08-18 13:46
@wenchx
感謝大家對(duì)我的指導(dǎo),請(qǐng)問(wèn)樓上1.變壓器漏感對(duì)瞬間高壓影響很大嗎,我是做Boost電路的PFC,AC是經(jīng)過(guò)調(diào)壓器后再整流輸入的;2.在Snab回路加TVS的意思是在MOSFET兩端加反并聯(lián)的TVS二極管嗎?RC是怎么加的,是和TVS串聯(lián)嗎?3.Vor是什么電壓;4.MOSFET內(nèi)部已經(jīng)有一個(gè)反向二極管了,還要再加一個(gè)慢速反向釋放二極管嗎?這是什么原理呢.小弟再次謝過(guò)了...
你的PFC電路是隔離的吧
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wenchx
LV.2
6
2006-08-18 13:55
@大小二琦
你的PFC電路是隔離的吧
是隔離的,能解釋一下具體方法嗎
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wbj098
LV.5
7
2006-08-18 17:34
1從驅(qū)動(dòng)信號(hào).2變壓器3功率
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wbj098
LV.5
8
2006-08-18 17:36
@wenchx
感謝大家對(duì)我的指導(dǎo),請(qǐng)問(wèn)樓上1.變壓器漏感對(duì)瞬間高壓影響很大嗎,我是做Boost電路的PFC,AC是經(jīng)過(guò)調(diào)壓器后再整流輸入的;2.在Snab回路加TVS的意思是在MOSFET兩端加反并聯(lián)的TVS二極管嗎?RC是怎么加的,是和TVS串聯(lián)嗎?3.Vor是什么電壓;4.MOSFET內(nèi)部已經(jīng)有一個(gè)反向二極管了,還要再加一個(gè)慢速反向釋放二極管嗎?這是什么原理呢.小弟再次謝過(guò)了...
加RC吸收.并聯(lián)
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wenchx
LV.2
9
2006-08-21 08:51
@wbj098
1從驅(qū)動(dòng)信號(hào).2變壓器3功率
wbj098你好,請(qǐng)問(wèn)你說(shuō)的是什么意思,是從這三方面考慮降低尖蜂電壓?jiǎn)?能說(shuō)的具體些嗎?我也加了RC吸收了,但效果不是很理想,只是對(duì)振蕩的抑制比較好,尖蜂電壓還是較高.
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wenchx
LV.2
10
2006-08-21 11:33
@wenchx
wbj098你好,請(qǐng)問(wèn)你說(shuō)的是什么意思,是從這三方面考慮降低尖蜂電壓?jiǎn)?能說(shuō)的具體些嗎?我也加了RC吸收了,但效果不是很理想,只是對(duì)振蕩的抑制比較好,尖蜂電壓還是較高.
現(xiàn)在加了RC吸收后情況好了許多,但是電阻的溫升太大了,擔(dān)心再加電壓運(yùn)行下去會(huì)燒掉電阻,哪位高手指點(diǎn)一下如何處理這種情況.
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2006-08-21 11:51
@wenchx
現(xiàn)在加了RC吸收后情況好了許多,但是電阻的溫升太大了,擔(dān)心再加電壓運(yùn)行下去會(huì)燒掉電阻,哪位高手指點(diǎn)一下如何處理這種情況.
你的電阻幾W的啊 建議換大功率電阻
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wenchx
LV.2
12
2006-08-21 14:04
@sealand_1981
你的電阻幾W的啊建議換大功率電阻
我已經(jīng)用了10W的電阻了啊,不知這么做下去行不行
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2006-08-21 14:07
@wenchx
我已經(jīng)用了10W的電阻了啊,不知這么做下去行不行
10W?這么高啊,一般2W的綽綽有余了,請(qǐng)問(wèn)你的BOOST升壓的電壓為多大?
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wbj098
LV.5
14
2006-08-21 15:18
@wenchx
wbj098你好,請(qǐng)問(wèn)你說(shuō)的是什么意思,是從這三方面考慮降低尖蜂電壓?jiǎn)?能說(shuō)的具體些嗎?我也加了RC吸收了,但效果不是很理想,只是對(duì)振蕩的抑制比較好,尖蜂電壓還是較高.
MOS的G的VPP多高.波形是否正常.是多少功率.
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wenchx
LV.2
15
2006-08-21 15:19
@sealand_1981
10W?這么高啊,一般2W的綽綽有余了,請(qǐng)問(wèn)你的BOOST升壓的電壓為多大?
我也覺(jué)得2或3W就夠了,可是發(fā)熱厲害只能用10W的,Boost升壓電壓要作到380V,因?yàn)楝F(xiàn)在MOSFET上的尖蜂電壓太大,所以Boost電壓還沒(méi)上到那么大.
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wenchx
LV.2
16
2006-08-21 15:22
@wbj098
MOS的G的VPP多高.波形是否正常.是多少功率.
MOS的DS尖蜂電壓一般比正常關(guān)斷電壓高出一倍多,比如正常關(guān)斷電壓為100V的話(huà),VPP就達(dá)到200多V了,這樣MOS肯定受不了.波形加了RC吸收后已經(jīng)比較正常了,功率現(xiàn)在還沒(méi)加太大,估計(jì)也就是幾十W的樣子.
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2006-08-21 15:27
@wenchx
MOS的DS尖蜂電壓一般比正常關(guān)斷電壓高出一倍多,比如正常關(guān)斷電壓為100V的話(huà),VPP就達(dá)到200多V了,這樣MOS肯定受不了.波形加了RC吸收后已經(jīng)比較正常了,功率現(xiàn)在還沒(méi)加太大,估計(jì)也就是幾十W的樣子.
帖圖出來(lái) 比較好分析
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aaa168
LV.1
18
2006-10-02 22:28
@wenchx
MOS的DS尖蜂電壓一般比正常關(guān)斷電壓高出一倍多,比如正常關(guān)斷電壓為100V的話(huà),VPP就達(dá)到200多V了,這樣MOS肯定受不了.波形加了RC吸收后已經(jīng)比較正常了,功率現(xiàn)在還沒(méi)加太大,估計(jì)也就是幾十W的樣子.
Adjust MOSFET driver resistor
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youguobo
LV.4
19
2006-10-06 16:25
@wenchx
是隔離的,能解釋一下具體方法嗎
兄弟,你的PFC電路隔離?能不能發(fā)個(gè)原理圖上來(lái)看一下,我也學(xué)習(xí)一下.謝了!
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