大功率的感應(yīng)加熱都是并聯(lián)諧振？
比如80KW到160KW功率段
大功率的感應(yīng)加熱都是并聯(lián)諧振？
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你說的是可控硅全橋諧振吧，可控硅容量大，耐沖擊大，但是，可控硅有個非常脆弱的地方，就是，工作頻率低以及電壓上升率耐受低
而并聯(lián)諧振恰好能滿足可控硅這種需要，所以，單級可控硅諧振電源可以輕易做到上百KW或幾百KW
單芯片快速可控硅，容量做到幾KV并且?guī)譑A，非常容易，而單芯片的IGBT，很難做的很大，超過100A的IGBT模塊，都是多芯片并聯(lián)了，單晶片的可控硅，硅圓直徑大于3cm以上，甚至5cm直徑以上，非常容易見到，而且易生產(chǎn)，而IGBT，單晶片直徑大于1cm就非常困難了（需要多片并聯(lián)）
由于可控硅不能自關(guān)斷，所以，在全橋諧振中，有一套極其復(fù)雜的可控硅自關(guān)斷機制，這套關(guān)斷系統(tǒng)的精巧及復(fù)雜程度，令人嘆為觀止
現(xiàn)在，由于IGBT的出現(xiàn)，它能自關(guān)斷，性能遠遠優(yōu)于IGBT（除了大電流方面），并且可以使用沖擊電流小的串聯(lián)諧振結(jié)構(gòu)，基本上100KW以內(nèi)的功率范圍，全被IGBT被取代了
而大功率方面，由于IGBT模塊電流容量及電壓容量所限，上百KW或更大功率的單級諧振電源，仍然是可控硅的天下
可控硅全橋諧振的主柘樸，非常簡單，但它的驅(qū)動及輔助關(guān)斷部分，卻極其復(fù)雜，而且需要專門的啟動電路，啟動困難，關(guān)閉困難，工作頻率低等，缺點非常多，優(yōu)點只有一個，就是單級功率極大，幾KKW都能做到，一般常見的是幾百KW，比如600KW熔銅爐電源
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@米山人家
你說的是可控硅全橋諧振吧，可控硅容量大，耐沖擊大，但是，可控硅有個非常脆弱的地方，就是，工作頻率低以及電壓上升率耐受低而并聯(lián)諧振恰好能滿足可控硅這種需要，所以，單級可控硅諧振電源可以輕易做到上百KW或幾百KW單芯片快速可控硅，容量做到幾KV并且?guī)譑A，非常容易，而單芯片的IGBT，很難做的很大，超過100A的IGBT模塊，都是多芯片并聯(lián)了，單晶片的可控硅，硅圓直徑大于3cm以上，甚至5cm直徑以上，非常容易見到，而且易生產(chǎn)，而IGBT，單晶片直徑大于1cm就非常困難了（需要多片并聯(lián)）由于可控硅不能自關(guān)斷，所以，在全橋諧振中，有一套極其復(fù)雜的可控硅自關(guān)斷機制，這套關(guān)斷系統(tǒng)的精巧及復(fù)雜程度，令人嘆為觀止 現(xiàn)在，由于IGBT的出現(xiàn)，它能自關(guān)斷，性能遠遠優(yōu)于IGBT（除了大電流方面），并且可以使用沖擊電流小的串聯(lián)諧振結(jié)構(gòu)，基本上100KW以內(nèi)的功率范圍，全被IGBT被取代了 而大功率方面，由于IGBT模塊電流容量及電壓容量所限，上百KW或更大功率的單級諧振電源，仍然是可控硅的天下 可控硅全橋諧振的主柘樸，非常簡單，但它的驅(qū)動及輔助關(guān)斷部分，卻極其復(fù)雜，而且需要專門的啟動電路，啟動困難，關(guān)閉困難，工作頻率低等，缺點非常多，優(yōu)點只有一個，就是單級功率極大，幾KKW都能做到，一般常見的是幾百KW，比如600KW熔銅爐電源
還是版主厲害啊 贊一個
是不是高頻（MHz級別的）一般都用MOSFET，中功率、低頻的用IGBT？
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@米山人家
你說的是可控硅全橋諧振吧，可控硅容量大，耐沖擊大，但是，可控硅有個非常脆弱的地方，就是，工作頻率低以及電壓上升率耐受低而并聯(lián)諧振恰好能滿足可控硅這種需要，所以，單級可控硅諧振電源可以輕易做到上百KW或幾百KW單芯片快速可控硅，容量做到幾KV并且?guī)譑A，非常容易，而單芯片的IGBT，很難做的很大，超過100A的IGBT模塊，都是多芯片并聯(lián)了，單晶片的可控硅，硅圓直徑大于3cm以上，甚至5cm直徑以上，非常容易見到，而且易生產(chǎn)，而IGBT，單晶片直徑大于1cm就非常困難了（需要多片并聯(lián)）由于可控硅不能自關(guān)斷，所以，在全橋諧振中，有一套極其復(fù)雜的可控硅自關(guān)斷機制，這套關(guān)斷系統(tǒng)的精巧及復(fù)雜程度，令人嘆為觀止 現(xiàn)在，由于IGBT的出現(xiàn)，它能自關(guān)斷，性能遠遠優(yōu)于IGBT（除了大電流方面），并且可以使用沖擊電流小的串聯(lián)諧振結(jié)構(gòu)，基本上100KW以內(nèi)的功率范圍，全被IGBT被取代了 而大功率方面，由于IGBT模塊電流容量及電壓容量所限，上百KW或更大功率的單級諧振電源，仍然是可控硅的天下 可控硅全橋諧振的主柘樸，非常簡單，但它的驅(qū)動及輔助關(guān)斷部分，卻極其復(fù)雜，而且需要專門的啟動電路，啟動困難，關(guān)閉困難，工作頻率低等，缺點非常多，優(yōu)點只有一個，就是單級功率極大，幾KKW都能做到，一般常見的是幾百KW，比如600KW熔銅爐電源
長見識了
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@米山人家
你說的是可控硅全橋諧振吧，可控硅容量大，耐沖擊大，但是，可控硅有個非常脆弱的地方，就是，工作頻率低以及電壓上升率耐受低而并聯(lián)諧振恰好能滿足可控硅這種需要，所以，單級可控硅諧振電源可以輕易做到上百KW或幾百KW單芯片快速可控硅，容量做到幾KV并且?guī)譑A，非常容易，而單芯片的IGBT，很難做的很大，超過100A的IGBT模塊，都是多芯片并聯(lián)了，單晶片的可控硅，硅圓直徑大于3cm以上，甚至5cm直徑以上，非常容易見到，而且易生產(chǎn)，而IGBT，單晶片直徑大于1cm就非常困難了（需要多片并聯(lián)）由于可控硅不能自關(guān)斷，所以，在全橋諧振中，有一套極其復(fù)雜的可控硅自關(guān)斷機制，這套關(guān)斷系統(tǒng)的精巧及復(fù)雜程度，令人嘆為觀止 現(xiàn)在，由于IGBT的出現(xiàn)，它能自關(guān)斷，性能遠遠優(yōu)于IGBT（除了大電流方面），并且可以使用沖擊電流小的串聯(lián)諧振結(jié)構(gòu)，基本上100KW以內(nèi)的功率范圍，全被IGBT被取代了 而大功率方面，由于IGBT模塊電流容量及電壓容量所限，上百KW或更大功率的單級諧振電源，仍然是可控硅的天下 可控硅全橋諧振的主柘樸，非常簡單，但它的驅(qū)動及輔助關(guān)斷部分，卻極其復(fù)雜，而且需要專門的啟動電路，啟動困難，關(guān)閉困難，工作頻率低等，缺點非常多，優(yōu)點只有一個，就是單級功率極大，幾KKW都能做到，一般常見的是幾百KW，比如600KW熔銅爐電源
IGBT做到100KW以上的早就有了！
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