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關(guān)于正激變換器磁復(fù)位

請大神幫我看看這個正激電路拓補,完全看不到我所知道的各種磁復(fù)位電路。我是小白,請指教。。

 

 

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dpwish
LV.2
2
2013-01-06 09:24
沒人理我,是問題太簡單了嗎。。。
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xmm
LV.3
3
2013-01-10 15:18
@dpwish
沒人理我,是問題太簡單了嗎。。。
小功率的時候,為了成本,有時會用R12、R13和C12組成的吸收電路
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dpwish
LV.2
4
2013-01-10 16:36
@xmm
小功率的時候,為了成本,有時會用R12、R13和C12組成的吸收電路
謝謝,那這個時候的磁復(fù)位怎么計算呢?
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xmm
LV.3
5
2013-01-29 10:22
@dpwish
謝謝,那這個時候的磁復(fù)位怎么計算呢?
DRC吸收電路與復(fù)位繞組不同的是,復(fù)位繞組是把能量回饋給電源,而DRC是轉(zhuǎn)換成熱量消耗掉,同時繞組還有鉗位功能,MOS管安全點,但變壓器工藝復(fù)雜些,所以帶繞組的電源效率高一點點,可靠些,但會增加些成本,因此很多時候就把繞組省了
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nod32-a
LV.3
6
2013-01-29 19:42
@xmm
DRC吸收電路與復(fù)位繞組不同的是,復(fù)位繞組是把能量回饋給電源,而DRC是轉(zhuǎn)換成熱量消耗掉,同時繞組還有鉗位功能,MOS管安全點,但變壓器工藝復(fù)雜些,所以帶繞組的電源效率高一點點,可靠些,但會增加些成本,因此很多時候就把繞組省了
4,7繞組是復(fù)位繞組,只不過這個復(fù)位繞組和勵磁繞組不是1:1匝數(shù)
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dpwish
LV.2
7
2013-02-01 09:55
@xmm
DRC吸收電路與復(fù)位繞組不同的是,復(fù)位繞組是把能量回饋給電源,而DRC是轉(zhuǎn)換成熱量消耗掉,同時繞組還有鉗位功能,MOS管安全點,但變壓器工藝復(fù)雜些,所以帶繞組的電源效率高一點點,可靠些,但會增加些成本,因此很多時候就把繞組省了

變壓器工藝復(fù)雜些,是體現(xiàn)在哪里呢?更低的漏感嗎?

 

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dpwish
LV.2
8
2013-02-01 09:57
@nod32-a
4,7繞組是復(fù)位繞組,只不過這個復(fù)位繞組和勵磁繞組不是1:1匝數(shù)
4,7繞組應(yīng)該是輔助繞組給PWM芯片供電的,開關(guān)管導(dǎo)通時輸出能量,與其他次級繞組是同等的吧
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xmm
LV.3
9
2013-02-02 12:32
@dpwish
變壓器工藝復(fù)雜些,是體現(xiàn)在哪里呢?更低的漏感嗎? 
我覺得最主要的還是成本問題(如果不摳成本的話應(yīng)該不會用這樣的電路),多一個復(fù)位繞組,變壓器在生產(chǎn)過程中增加的可不只一道工序,還有占用磁芯窗口面積,至于漏感,把它繞在最外層應(yīng)該影響不大。
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nod32-a
LV.3
10
2013-02-04 19:39
@dpwish
4,7繞組應(yīng)該是輔助繞組給PWM芯片供電的,開關(guān)管導(dǎo)通時輸出能量,與其他次級繞組是同等的吧
看錯了同名端,不好意思。不過我覺得繞組復(fù)位和RCD吸收還是分開好,RCD吸收如何能兼顧在各種負載下都能讓磁芯復(fù)位,且讓開關(guān)管不過壓,不過我想4,7其實可以做復(fù)位繞組,同時給芯片供電,當然同名端要變一下
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dpwish
LV.2
11
2013-02-05 09:55
@nod32-a
看錯了同名端,不好意思。不過我覺得繞組復(fù)位和RCD吸收還是分開好,RCD吸收如何能兼顧在各種負載下都能讓磁芯復(fù)位,且讓開關(guān)管不過壓,不過我想4,7其實可以做復(fù)位繞組,同時給芯片供電,當然同名端要變一下
不行的吧?變壓器在開關(guān)管開通階段是不存儲能量的,在關(guān)斷的時候僅僅憑借勵磁能量來給PWM芯片供電會不會有點懸呢?
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dpwish
LV.2
12
2013-02-05 10:00
@xmm
我覺得最主要的還是成本問題(如果不摳成本的話應(yīng)該不會用這樣的電路),多一個復(fù)位繞組,變壓器在生產(chǎn)過程中增加的可不只一道工序,還有占用磁芯窗口面積,至于漏感,把它繞在最外層應(yīng)該影響不大。
可不可以這么理解?在開關(guān)管關(guān)斷時,勵磁磁通形成的反電動勢對電容充電并且把能量耗散在電阻上。這樣的話是不是初級電感越大越好,這樣勵磁電流更小,勵磁能量P=I2*L/2更小以提高效率并且更容易磁芯復(fù)位?
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nod32-a
LV.3
13
2013-02-05 20:53
@dpwish
不行的吧?變壓器在開關(guān)管開通階段是不存儲能量的,在關(guān)斷的時候僅僅憑借勵磁能量來給PWM芯片供電會不會有點懸呢?

計算好了就不懸了。

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nod32-a
LV.3
14
2013-02-05 21:01
@dpwish
可不可以這么理解?在開關(guān)管關(guān)斷時,勵磁磁通形成的反電動勢對電容充電并且把能量耗散在電阻上。這樣的話是不是初級電感越大越好,這樣勵磁電流更小,勵磁能量P=I2*L/2更小以提高效率并且更容易磁芯復(fù)位?
不是電感越大越好,電感大往往不是磁芯的最大功率輸出點。復(fù)位只要伏秒數(shù)相等就可以了。
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