RCD吸收那邊的理論公式都看懂了，現在有個小想法，就是干嘛不把R和C都弄大點，這樣C上的電壓上升基本忽略不計，而且使得時間常數RC很大，漏感能量就儲存在電容里好了，總不至于爆了。。、實際中測了下波形，C的電壓保持在一定水平，就是POE電壓+次級反射電壓。注：開關頻率是250K，R=10K，C=100nf.

另一個問題，次級的肖特基二極管，RC吸收回路，R=100歐姆，C=470pf，二極管上的波形很好，但是初級取樣電阻的電壓波形一開始導通的時候有個很大的尖峰，取樣電阻RS是0.25歐姆的，尖峰有6V左右（取樣電阻梯形波是250mv到400mv），說明一開始的導通電流很大，改過那個100歐姆的電阻，到32歐姆，基本沒改善。。、尼瑪這是為什么，還有那個計算的頻率，到底是振蕩的頻率還是開關的頻率。。(PS:抄來的一段話：可用于衰減次級漏感與整流二極管的振蕩,此時所加RC應短路整流二極管體等效電容(肖特基的體電容一般在100pf到1000pf之間,隨反向電壓增大而變小,具體可參考數據手冊),其與次級漏感形成RLC衰減振蕩網絡(R>2*(L/C)^0.5,R越大衰減越快);同時,為短路肖特基二極管的體電容,又要滿足(R^2+(1/2*pi()*f*C)^2)^0.5<<1/(2*pi()*f*Cvd)(Cvd為肖特基體電容),一般取前者為后者的五到十分之一; ）

他這里的好像是R C并聯，但是也不應該是平方和再開方啊，偶是按照串聯加起來的，R+1/2*pi()*f*C...這里的f是開關頻率么？？？

PSS:好像我這個肖特基二極管的結電容是30pf的...so我的電阻要取到20歐以下？明天再試試。
我的輸出功率是12W的，輸入是54V的POE.