這次的逆變器,發(fā)現(xiàn)開機(jī)經(jīng)常燒壞推挽的MOS,最后發(fā)現(xiàn)在開機(jī)時(shí)候MOS的VDS會(huì)有很大尖峰電壓,正常穩(wěn)定工作了就沒有尖峰,初步分析是開機(jī)瞬間由于斷續(xù)的問題,但是也高的特別離譜超過了MOS耐壓很多,大家有什么好的改善方法分享下,甚謝!
推挽升壓開機(jī)瞬間MOS的VDS的尖峰
老兄,還在推挽?。?!
我剛剛開始弄推挽的時(shí)候,那是幾年前的事情了,老是炸壞管子,原因就是你上頭說的那個(gè)一摸一樣的問題,開機(jī)的時(shí)候VDS燒掉MOSFET。
為了這個(gè)問題,我做了N多試驗(yàn),最后發(fā)現(xiàn)有一個(gè)方式可以很好的解決這個(gè)問題。
開機(jī)的時(shí)候,VGS的驅(qū)動(dòng)波形一定要慢,這個(gè)時(shí)候因?yàn)槭擒泦?dòng)過程,占空比很小的,所以這個(gè)時(shí)候VGS的波形可以放的非常緩慢,此時(shí)VDS電壓會(huì)平穩(wěn)的上升,而不會(huì)有很大的尖峰。等過了這個(gè)時(shí)間段,就可以正常的開關(guān)MOSFET了,
是不是加大軟啟動(dòng)電容
不是的,老兄,你弄錯(cuò)了,我說的不是增加軟啟動(dòng)的時(shí)間,軟啟動(dòng)是需要,但是對此沒有多少用處的。VDS尖峰該大還是會(huì)很大的。
我的意思是在軟啟動(dòng)的這個(gè)過程中,將驅(qū)動(dòng)不要搞得那么太給力了,而是要盡量的軟一些,就等于說,PWM波形上升沿不要那么快,而是讓他緩一點(diǎn),此時(shí)VDS尖峰可以達(dá)到一個(gè)非常理想的范圍內(nèi),一點(diǎn)都不會(huì)超過2倍VCC電壓的。你試試,這是我原來親自試驗(yàn)過的最有效的方法。
過來軟啟動(dòng)之后,立馬將驅(qū)動(dòng)PWM盡量搞的給力一點(diǎn),此時(shí)就不用擔(dān)心效率問題了。此時(shí)VDS也不會(huì)過沖了。
當(dāng)時(shí)我設(shè)計(jì)過這個(gè)電路,現(xiàn)在我估計(jì)找不到了,因?yàn)樽詈笪也]有用這個(gè)。
具體是這樣的,PWM經(jīng)過一個(gè)電容到地,一般到正常的驅(qū)動(dòng)圖騰,這個(gè)電容會(huì)隨著PWM的反復(fù)充電,會(huì)慢慢的抬升電位,好像還要加個(gè)二極管去隔離下,還要保證每次關(guān)機(jī)之后,這個(gè)電容的電要盡快的放掉。這個(gè)電容就是用來延緩PWM的上升速度的。
時(shí)間太久,我忘記了,好像還有三極管做的一個(gè)控制。如果有個(gè)單片機(jī),估計(jì)這個(gè)就非常好解決了。還是建議用單片機(jī)一個(gè)IO做這個(gè)的控制。
